Close Menu
    Facebook X (Twitter) Instagram
    Неділя, 1 Червня
    Facebook X (Twitter) Instagram Telegram
    T4 – сучасні технології та наукаT4 – сучасні технології та наука
    • Компанії
    • Наука
    • Техно
    • Транспорт
    • Інтернет
    • ПЗ
    • Ігри
    • Lifestyle
    T4 – сучасні технології та наукаT4 – сучасні технології та наука
    Техно

    Samsung представила 12-нм пам’ять DDR5: обробляє два 4К-фільми за секунду

    Андрій НеволінАндрій Неволін22 Грудня, 2022
    Facebook Twitter Telegram

    Компанія Samsung Electronics офіційно повідомила про створення першої у світі пам’яті DDR5 DRAM з технологічного процесу 12 нанометрів, яку планують використовувати в центрах обробки даних, системах для роботи зі штучним інтелектом та інших продуктивних системах нового покоління. Виробник заявив, що нова розробка надає потенційним клієнтам найвищу продуктивність пам’яті, більшу енергоефективність, а також зменшений розмір кристала. Останній пункт насправді дуже важливий, оскільки завдяки компактному кристалу з однієї пластини можна отримати більше чіпів (приблизно на 20%).

    Також виробник поділився характеристиками та параметрами нових чіпів пам’яті. У компанії заявили, що новий чіп DDR5 представлений мікросхемою зі швидкістю передачі в 7,2 Гбіт/сек на кожен контакт. В результаті загальна швидкість обміну інформацією справді вражає — один чіп пам’яті здатний обробити два 4К-фільми вагою 30 ГБ всього за одну секунду, що, безумовно, відкриває безліч нових можливостей для систем обробки даних. Але, звичайно, особливу увагу виробник приділив і енергоефективності — споживання пам’яті, виробленої за 12-нанометровою технологією, на 23% менше, ніж у пам’яті попереднього покоління.

    Враховуючи, що новітня пам’ять буде використовуватися в різних великих масивах для роботи зі штучним інтелектом, машинним навчанням і великими масивами даних, ця економія в енергоспоживання виглядає більш ніж помітною. При цьому виробник зазначив, що зменшення технологічного процесу та значне скорочення фізичних розмірів осередків пам’яті не призвели до нарощування обсягу помилок під час читання та запису. Для цього Samsung довелося використовувати новий матеріал з дуже високою діелектричною проникністю, який дозволяє запобігти витоку заряду з кожного осередку.

    Більше того, фахівці південнокорейського гіганта заявили про використання спеціальної запатентованої технології для проектування чіпів пам’яті, яка дозволяє покращити характеристики ланцюгів та надати DDR5-пам’ять із найвищою щільністю запису у світі. Зараз виробник готується до масового виробництва цих чіпів пам’яті — імовірно, запуск нових потужностей має відбутися вже в 2023 році. Це означає, що вже через рік ці чіпи пам’яті потраплять на ринок комплектуючих – в AMD вже встигли підтвердити, що процесори з DDR5-пам’яттю нового покоління сумісні.

    Підписуйся на наш Telegram-канал

    DDR5 DRAM Samsung

    Читайте також

    Apple знову збільшить екран iPhone

    31 Травня, 2025

    В Європі пройде перша міжнародна олімпіада за участю гуманоїдних роботів

    30 Травня, 2025

    У США розроблять безпілотний F-35

    30 Травня, 2025
    Нове

    Вчені показали істоту, яка успішно пройшла когнітивний тест, розроблений для дітей

    31 Травня, 2025

    Земля може бути викинута з Сонячної системи

    31 Травня, 2025

    3 ключові поради від Стіва Джобса, які ведуть до успіху

    31 Травня, 2025
    Наука

    На Сонці помітили “вогняного птаха” розміром з 10 Земель

    By Андрій Неволін26 Травня, 2025
    Наука

    Науковці назвали тварину, яка найбільше «фонить» у Чорнобилі

    By Андрій Неволін28 Травня, 2025
    Наука

    Найотруйніша змія на Землі відростила третє ікло (ФОТО)

    By Андрій Неволін27 Травня, 2025
    Facebook X (Twitter) Instagram Pinterest Telegram
    Контакти

    © 2025 T4.com.ua Копіювання текстів або зображень, поширення інформації T4.com.ua у будь-якій формі забороняється без письмової згоди адміністрації T4.com.ua Цитування матеріалів сайту T4.com.ua дозволено за умови відкритого для пошукових систем гіперпосилання на конкретний матеріал не нижче другого абзацу.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.