Close Menu
    Facebook X (Twitter) Instagram
    Субота, 13 Червня
    Facebook X (Twitter) Instagram Telegram
    T4 – сучасні технології та наукаT4 – сучасні технології та наука
    • Компанії
    • Наука
    • Техно
    • Транспорт
    • Інтернет
    • ПЗ
    • Ігри
    • Lifestyle
    T4 – сучасні технології та наукаT4 – сучасні технології та наука
    Техно

    Samsung представила 12-нм пам’ять DDR5: обробляє два 4К-фільми за секунду

    Андрій НеволінАндрій Неволін22 Грудня, 2022
    Facebook Twitter Telegram

    Компанія Samsung Electronics офіційно повідомила про створення першої у світі пам’яті DDR5 DRAM з технологічного процесу 12 нанометрів, яку планують використовувати в центрах обробки даних, системах для роботи зі штучним інтелектом та інших продуктивних системах нового покоління. Виробник заявив, що нова розробка надає потенційним клієнтам найвищу продуктивність пам’яті, більшу енергоефективність, а також зменшений розмір кристала. Останній пункт насправді дуже важливий, оскільки завдяки компактному кристалу з однієї пластини можна отримати більше чіпів (приблизно на 20%).

    Також виробник поділився характеристиками та параметрами нових чіпів пам’яті. У компанії заявили, що новий чіп DDR5 представлений мікросхемою зі швидкістю передачі в 7,2 Гбіт/сек на кожен контакт. В результаті загальна швидкість обміну інформацією справді вражає — один чіп пам’яті здатний обробити два 4К-фільми вагою 30 ГБ всього за одну секунду, що, безумовно, відкриває безліч нових можливостей для систем обробки даних. Але, звичайно, особливу увагу виробник приділив і енергоефективності — споживання пам’яті, виробленої за 12-нанометровою технологією, на 23% менше, ніж у пам’яті попереднього покоління.

    Враховуючи, що новітня пам’ять буде використовуватися в різних великих масивах для роботи зі штучним інтелектом, машинним навчанням і великими масивами даних, ця економія в енергоспоживання виглядає більш ніж помітною. При цьому виробник зазначив, що зменшення технологічного процесу та значне скорочення фізичних розмірів осередків пам’яті не призвели до нарощування обсягу помилок під час читання та запису. Для цього Samsung довелося використовувати новий матеріал з дуже високою діелектричною проникністю, який дозволяє запобігти витоку заряду з кожного осередку.

    Більше того, фахівці південнокорейського гіганта заявили про використання спеціальної запатентованої технології для проектування чіпів пам’яті, яка дозволяє покращити характеристики ланцюгів та надати DDR5-пам’ять із найвищою щільністю запису у світі. Зараз виробник готується до масового виробництва цих чіпів пам’яті — імовірно, запуск нових потужностей має відбутися вже в 2023 році. Це означає, що вже через рік ці чіпи пам’яті потраплять на ринок комплектуючих – в AMD вже встигли підтвердити, що процесори з DDR5-пам’яттю нового покоління сумісні.

    Підписуйся на наш Telegram-канал

    DDR5 DRAM Samsung

    Читайте також

    Абсолютний рекорд продуктивності: AnTuTu назвав найпотужніші Android-смартфони 2026 року

    2 Червня, 2026

    Blackview MEGA 5: 12,2-дюймовий планшет на Android 16 з PC Mode 3.0, процесором UNISOC T7300 і повним комплектом периферії

    31 Травня, 2026

    UGREEN FineTrack: три трекери Apple Find My — який підійде саме вам

    24 Травня, 2026
    Нове

    Абсолютний рекорд продуктивності: AnTuTu назвав найпотужніші Android-смартфони 2026 року

    2 Червня, 2026

    Наймогутнішу королеву Європи знайшли після 700 років пошуків: що приховував її скелет

    2 Червня, 2026

    Blackview MEGA 5: 12,2-дюймовий планшет на Android 16 з PC Mode 3.0, процесором UNISOC T7300 і повним комплектом периферії

    31 Травня, 2026
    Наука

    Вчені виявили, що повторення 2000-річної біблійної молитви перепрограмовує людський мозок

    By Андрій Неволін27 Травня, 2026
    Наука

    Одна не на все життя: вчені виявили обставини, за яких може змінитися група крові

    By Андрій Неволін5 Липня, 2024
    Наука

    Наймогутнішу королеву Європи знайшли після 700 років пошуків: що приховував її скелет

    By Андрій Неволін2 Червня, 2026
    Facebook X (Twitter) Instagram Pinterest Telegram LinkedIn
    • Про нас
    • Редакційна політика
    • Політика конфіденційності та захисту персональних даних
    • Контакти редакції
    © 2026 T4.com.ua Копіювання текстів або зображень, поширення інформації T4.com.ua у будь-якій формі забороняється без письмової згоди адміністрації T4.com.ua Цитування матеріалів сайту T4.com.ua дозволено за умови відкритого для пошукових систем гіперпосилання на конкретний матеріал не нижче другого абзацу.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.