Понеділок, 25 Листопада

Рішення, що передбачають високу продуктивність, пропускну здатність та велику ємність, допомагають наблизити віртуальну реальність до справжньої реальності. Щоб задовольнити зростаючий ринковий попит, компанія Samsung розробила графічну пам’ять GDDR6W (x64). Це перша у галузі технологія DRAM нового покоління.

GDDR6W побудована на базі GDDR6 (x32) за рахунок впровадження технології Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), яка значно збільшує пропускну здатність та ємність пам’яті. У липні минулого року Samsung представила найшвидшу в галузі графічну пам’ять GDDR6 із пропускною спроможністю 24 Гбіт/с. GDDR6W подвоює цей показник, зберігаючи колишні розміри. Завдяки цьому нові мікросхеми пам’яті можна легко впровадити у ті ж виробничі процеси, у яких використовувалась GDDR6.

Структура FOWLP

Технологія FOWLP передбачає монтаж кристала пам’яті безпосередньо на кремнієвій пластині, а не на платі. Крім того, відсутність друкованої плати зменшує товщину підкладки та покращує розсіювання тепла. Висота мікросхеми GDDR6W становить 0,7 мм, це на 36% менше, ніж у GDDR6. Скорочуються час та витрати на виробництво, оскільки немає необхідності збільшувати розмір плати — можна розмістити вдвічі більше мікросхем пам’яті на тій самій площі. Місткість чіпа зростає з 16 до 32 ГБ, пропускна здатність – до 1,4 ТБ/с, швидкість передачі – до 22 Гбіт/с на контакт.

Порівняння мікросхем GDDR6 та GDDR6W

У Samsung відзначили, що завдяки GDDR6W є можливість просувати диференційовані продукти пам’яті, які можуть задовольнити потреби клієнтів. Компанія має намір розширити застосування GDDR6W на пристрої малого форм-фактора, до яких належать ноутбуки, а також топові графічні прискорювачі, що використовуються для високопродуктивних обчислень.

Exit mobile version